Вплив неоднорідних областей на рухливість носіїв струму в твердих розчинах Si1-хGex
Таким чином, на основі наших результатів та даних роботи можна твердити, що незважаючи на ряд припущень, які були зроблені, в рамках дифузійного наближення вдається описати поведінку рухливості носіїв струму в твердих розчинах Si1-хGex та Ge1-xSix у достатньо широкому температурному інтервалі. Коровицький А. М., Семенюк А. К. Дослідження впливу ізовалентної домішки Ge на рухливість електронів… Читати ще >
Вплив неоднорідних областей на рухливість носіїв струму в твердих розчинах Si1-хGex (реферат, курсова, диплом, контрольна)
Вплив неоднорідних областей на рухливість носіїв струму в твердих розчинах Si1-хGex.
Питання про механізми розсіяння, які визначають рухливість носіїв у твердих розчинах Ge1-xSix та Si1-хGex, розглядалися в низці статей [1; 2] і продовжують залишатись актуальними. У праці [1] було зроблено припущення, що причини зменшення рухливості в цих кристалах зі збільшенням концентрації неосновної компоненти одні і ті ж. Автори [1] проводили дослідження рухливості носіїв струму в твердих розчинах Ge1-xSix з точки зору існування неоднорідностей розподілу неосновної компоненти, що цілком обґрунтовано (див. напр. [3]). Для визначення впливу таких флуктуацій складу на кінетичні ефекти було використано підхід, розроблений у статті [4]. Дослідження в дифузійному наближенні впливу неоднорідних областей (НО) дозволило задовільно описати поведінку рухливості в достатньо широкому температурному інтервалі.
Вивчення фононних спектрів монокристалів Si1-хGex [5] показує, що атоми Ge не утворюють великих кластерів у гратці Si, але прагнуть займати кілька сусідніх вузлів ґратки. Це твердженння збігається з результатами, отриманими нами в статті [2], де доведено, що атоми Ge утворюють групи з десятків атомів залежно від рівня легування. Наведені результати дають підстави для застосування методу, який запропонований у статті [1] для аналізу рухливості носіїв струму в твердих розчинах Si1-хGex з позицій існування НО.
У статті [6] в дифузійному наближені було отримано вираз для холівської рухливості:
(1).
холівська рухливість в однорідному напівпровіднику,.
— усереднення за всіма можливим розміщенням НО.
Вважаючи розподіл, НО рівноймовірним та беручи до уваги той факт, що наявність неоднорідних областей призводить до виникнення потенціалу Е, який визначається різницею рівнів Фермі в матриці кремнію та кластері Ge, маємо:
(2).
.
для Si1-хGex та теоретичні, розраховані за формулою (2).
що узгоджується з висновком про те, що атоми неосновної компоненти утворюють невеликі угруповання.
Таким чином, на основі наших результатів та даних роботи [1] можна твердити, що незважаючи на ряд припущень, які були зроблені, в рамках дифузійного наближення вдається описати поведінку рухливості носіїв струму в твердих розчинах Si1-хGex та Ge1-xSix у достатньо широкому температурному інтервалі.
Література Шаховцов В. И., Шаховцова С. И, Шварц М. М., Шпинар Л. И., Ясковец И. И. Подвижность носителей тока в твёрдых растворах Ge1-Six. // ФТП.- 1989.- Т. 23. В.1.- с. 48−51.
Коровицький А.М., Семенюк А. К. Дослідження впливу ізовалентної домішки Ge на рухливість електронів у n-Si // Фундаментальні і прикладні проблеми сучасної фізики. Матеріали ІІ Міжнародного Смакулового симпозіуму. — Тернопіль: ТДТУ, Джура, 2000.- 288 с.
// ФТП.- 1977.- Т. 11, в. 2.- С. 257−261.
Пекар С. И. Теория подвижности эффекта Холла и магнетосопротивления в электронных полупроводниках с заряженными дефектами // ФТТ.- 1966.- Т. 8, в. 4.- С. 1115−1122.
Logan R.A., Rovvell J.M., Trumbore F.A. // Phys.Rev., v.136,A1751 (1964).
Шпинат Л.И., Ясковец И. И. К теории проводимости и эффекта Холла в неоднородных полупроводниках // ФТТ.- 1984.- Т. 26, в. 6.- С. 1725−1730.